[发明专利]检测固态存储装置存储状态的方法有效
| 申请号： | 201810846776.3 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110739023B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 彭祥恩;吴昇翰 | 申请（专利权）人： | 深圳衡宇芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测固态存储装置存储状态的方法。所述方法包含以下步骤：施加多个感测电压至各个记忆单元；比对各个记忆单元的临界电压与多个感测电压，并据以定义存储状态，多个存储状态依记忆单元落在强正确区、弱正确区、强错误区或弱错误区来分类；计算在每一存储状态的记忆单元数量；计算强正确区的多个记忆单元数量，占强正确区与弱正确区总和的多个记忆单元数量的强正确比例；计算强错误区的多个记忆单元数量，占强错误区与弱错误区总和的多个记忆单元数量的强错误比例；以及基于强正确比例及强错误比例，产生对数概度比。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 固态 存储 装置 状态 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测固态存储装置存储状态的方法，所述固态存储装置包含多个记忆单元，其特征在于，所述检测固态存储装置存储状态的方法包含以下步骤：/n设定具有不同电压值的多个感测电压，所述多个感测电压包含低位感测电压、中位感测电压以及高位感测电压，其中所述低位感测电压小于所述中位感测电压，所述高位感测电压大于所述中位感测电压；/n施加所述中位感测电压至各所述记忆单元，接着施加其他所述多个感测电压至各所述记忆单元；/n比对各所述记忆单元的临界电压与所述多个感测电压，并据以定义多个存储状态，所述多个存储状态包含强正确区、弱正确区、强错误区以及弱错误区；/n计算在所述强正确区、所述弱正确区、所述强错误区以及所述弱错误区中的每一区的所述多个记忆单元数量；/n计算所述强正确区的所述多个记忆单元数量，占所述强正确区与所述弱正确区总和的所述多个记忆单元数量的强正确比例；/n计算所述强错误区的所述多个记忆单元数量，占所述强错误区与所述弱错误区总和的所述多个记忆单元数量的强错误比例；以及/n基于所述强正确比例及所述强错误比例产生对数概度比。/n
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