[发明专利]图像传感器及其制造方法、身份识别装置及设备在审

专利信息
申请号: 201810846913.3 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN108987422A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 王小明 申请(专利权)人: 深圳阜时科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请适用于光电技术领域,提供了一种图像传感器,其包括半导体衬底、光电二极管及反射层。所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面。所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧。所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号。所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上,用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。本申请还提供一种图像传感器的制造方法、身份识别装置及设备。
搜索关键词: 光电二极管 成像光线 图像传感器 衬底 半导体 身份识别装置 转换成电信号 反射层 上表面 反射 光电技术领域 传播路径 相背设置 目标物 下表面 申请 制造 穿过
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括半导体衬底、光电二极管及反射层,所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面,所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧,所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号,所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上,用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。
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