[发明专利]图像传感器及其制造方法、身份识别装置及设备在审
| 申请号： | 201810846913.3 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108987422A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王小明 | 申请（专利权）人： | 深圳阜时科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请适用于光电技术领域，提供了一种图像传感器，其包括半导体衬底、光电二极管及反射层。所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面。所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧。所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号。所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上，用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。本申请还提供一种图像传感器的制造方法、身份识别装置及设备。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 成像光线 图像传感器 衬底 半导体 身份识别装置 转换成电信号 反射层 上表面 反射 光电技术领域 传播路径 相背设置 目标物 下表面 申请 制造 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其包括半导体衬底、光电二极管及反射层，所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面，所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧，所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号，所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上，用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
