[发明专利]存储装置

摘要

实施方式提供一种能够防止单元电流降低的存储装置。实施方式的存储装置具备导电层、多个第1电极层、第1半导体层、第1绝缘膜、第2电极层、及半导体基底。多个第1电极层积层在导电层的上方。第1半导体层沿着从导电层朝向多个第1电极层的第1方向贯通多个第1电极。第1绝缘膜以包围第1半导体层的方式，设置在多个第1电极层与第1半导体层之间，且包含沿着从第1半导体层朝向多个第1电极层中的1个第1电极层的第2方向依序设置的第1膜、第2膜及第3膜。第2电极层设置在多个第1电极层中最靠近导电层的第1电极层与导电层之间。半导体基底在导电层与第1半导体层之间连接在第1半导体层，且沿第1方向贯通第2电极层。与第1半导体层相接的半导体基底的表面和第2膜之间的第1方向上的间隔大于第2方向上的第3膜的膜厚。第1半导体层由第1绝缘膜包围的部分中的外周的第2方向上的最小宽度与第1半导体层贯通最靠近的第1电极的部分的外周的所述第2方向的第1宽度大致相同。第1半导体层位于半导体基底与第1绝缘膜之间的水平面的外周的第2方向上的第2宽度与第1宽度大致相同，或者大于第1宽度，且小于将第1半导体层贯通最靠近的第1电极的部分覆盖的第1绝缘膜的第2方向上的外周的第3宽度。

主权项

1.一种存储装置，具备：导电层；多个第1电极层，积层在所述导电层的上方；第1半导体层，沿着从所述导电层朝向所述多个第1电极层的第1方向贯通所述多个第1电极；第1绝缘膜，以包围所述第1半导体层的方式设置在所述多个第1电极层与所述第1半导体层之间，且包含沿着从所述第1半导体层朝向所述多个第1电极层中的1个第1电极层的第2方向依序设置的第1膜、第2膜及第3膜；第2电极层，设置在所述多个第1电极层中最靠近所述导电层的第1电极层与所述导电层之间；及半导体基底，以连接在所述第1半导体层，沿所述第1方向贯通所述第2电极层的方式设置在所述导电层与所述第1半导体层之间；与所述第1半导体层相接的所述半导体基底的表面和所述第2膜之间的所述第1方向上的间隔大于所述第2方向上的所述第3膜的膜厚，所述第1半导体层由所述第1绝缘膜包围的部分的外周的所述第2方向上的最小宽度与所述第1半导体层贯通所述最靠近的第1电极的部分的外周的所述第2方向的第1宽度大致相同，所述第1半导体层位于所述半导体基底与所述第1绝缘膜之间的水平面的外周的所述第2方向上的第2宽度与所述第1宽度大致相同，或者大于所述第1宽度，且小于将所述第1半导体层贯通所述最靠近的第1电极的部分覆盖的所述第1绝缘膜的所述第2方向上的外周的第3宽度。