[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法有效
申请号: | 201810847558.1 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110310902B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 丹羽恵一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一形态提供一种能够防止使用转印板时的焊料连接不良的半导体制造装置及半导体制造方法。实施方式的半导体制造装置具备:转印板,具有将助焊剂转印到半导体衬底上的多个焊盘的多个转印针;支撑体,支撑转印板并与转印板一体地自由移动;定位机构,以对应的转印针接触于多个焊盘的每一个的方式定位支撑体;以及间隔调整部,调整多个转印针中的至少一部分转印针的间隔。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,具备:转印板,具有将助焊剂转印到半导体衬底上的多个焊盘的多个转印针;支撑体,支撑所述转印板并与所述转印板一体地自由移动;定位机构,以对应的所述转印针接触于所述多个焊盘的每一个的方式定位所述支撑体;以及间隔调整部,调整所述多个转印针中的至少一部分转印针的间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810847558.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁工艺腔室的方法
- 下一篇:减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造