[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810847567.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037440A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 钟文敏;刘秋香;唐新桂;曾思明 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及其制备方法和应用。本发明公开了一种阻变存储器，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜和第一顶电极均设置在底电极背离衬底的一侧；第二顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧；双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6、Bi2Ni0.5Mn1.5O6或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。相比于现有的阻变存储器，将双钙钛矿氧化物薄膜作为介质层的阻变存储器在不同的退火温度下，可以在高阻态和低阻态之间相互转化，HRS/LRS值可以达到200，展现出了优良的阻变特性，使得阻变存储器具备良好的稳定性，解决现有的阻变存储器阻变效应差，阻变存储器容易损坏的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 氧化物薄膜 双钙钛矿 底电极 顶电极 衬底 制备方法和应用 背离 半导体技术领域 退火 阻变特性 低阻态 高阻态 介质层 薄膜 转化 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；所述底电极设置在所述衬底的表面；所述双钙钛矿氧化物薄膜和所述第一顶电极均设置在所述底电极背离所述衬底的一侧；所述第二顶电极设置在所述双钙钛矿氧化物薄膜背离所述底电极的一侧；所述双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6薄膜、Bi2Ni0.5Mn1.5O6薄膜、Bi2Ni0.8Mn1.2O6薄膜或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。
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