[发明专利]一种聚(3-己基噻吩)导电网络结构及其制备方法有效
申请号: | 201810848629.X | 申请日: | 2018-07-28 |
公开(公告)号: | CN109256239B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 陈静波;赵卫国;张彬 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/12 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 许艳敏 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚(3‑己基噻吩)导电网络结构及其制备方法。该方法制备出超高分子量聚乙烯溶液,通过旋涂仪将该溶液旋涂在氧化后的热硅片上制备得到超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构;然后将配制的聚(3‑己基噻吩)溶液滴涂在上述网络结构上制备得到聚(3‑己基噻吩)导电网络结构。该方法简单易于操作,制备时间短、效率高;得到的网络结构成环状规则排列,具有很好的导电性能,作为聚合物导电网络,具有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 噻吩 导电 网络 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚(3‑己基噻吩)导电网络结构的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构的制备a.取超高分子量聚乙烯在溶剂中进行溶解混合,然后对混合物进行加热,使其中的超高分子量聚乙烯完全溶解,完全溶解后得到超高分子量聚乙烯的溶液;b.取硅片,对硅片进行氧化处理,氧化处理完成后,将氧化后的硅片置于旋涂仪中,然后对置于旋涂仪上的硅片进行加热并保温;c.步骤b所述硅片加热保温完成后,将步骤a所述加热溶解之后的超高分子量聚乙烯溶液置于旋涂仪的硅片上进行旋涂,旋涂完成后,将旋涂在硅片上的超高分子量聚乙烯冷却至室温,即得到超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构;(2)聚(3‑己基噻吩)导电网络结构的制备:d.取聚(3‑己基噻吩)溶于溶剂中,然后对聚(3‑己基噻吩)与溶剂的混合溶液进行加热使聚(3‑己基噻吩)完全溶解,溶解后得到聚(3‑己基噻吩)的溶液;e.将步骤d制备得到的聚(3‑己基噻吩)溶液滴涂在步骤(1)制备得到的超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构上;滴涂完成后,自然挥发,溶剂完全挥发后即得到聚(3‑己基噻吩)的导电网络结构;或者首先对步骤(1)制备得到的硅片上冷却至室温的超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构进行加热,加热至温度与步骤d所得聚(3‑己基噻吩)溶液的温度相同,加热完成后、在该温度下保温;保温完成后,再将步骤d所得聚(3‑己基噻吩)溶液滴涂在保温后硅片上的超高分子量聚乙烯shish‑kebab网络结构上;滴涂完成后,自然挥发,溶剂完全挥发后即得到聚(3‑己基噻吩)的导电网络结构。
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