[发明专利]一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用在审
| 申请号： | 201810852173.4 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN109244235A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈元正;朱守辉;吕旖旎;毛双锁;孙柏;夏钰东;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，涉及有机材料应用技术领域。将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，使用去离子水稀释浓盐酸(HCl)溶液，或者氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释溶液；制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 石蕊 介电层 质量百分比 去离子水 稀释溶液 配制成混合溶液 表面沉积金属 应用技术领域 制备混合溶液 导电玻璃 混合溶液 氢氧化钠 筛网过滤 有机材料 直流溅射 研磨 干燥箱 浓盐酸 微米级 旋涂法 电极 导电 稀释 旋涂 薄膜 制备 应用 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种石蕊作为忆阻器件介电层的应用，具体包括如下步骤：步骤一、将从地衣类植物提取出来的石蕊，清洗并使用干燥箱干燥，备用；步骤二、将干燥的石蕊粉碎，研磨，通过筛网过滤获得微米级的石蕊粉末，保存在干燥的环境中；步骤三、配制稀释溶液：使用去离子水稀释质量分数为37％，密度为1.19g/ml的浓盐酸(HCl)溶液0.03ml得到总体积为1L浓度为0.001mol/L的稀释溶液，或者将0.04g氢氧化钠(NaOH)固体用去离子水溶解并稀释得到总体积为1L浓度为0.001mol/L的稀释溶液，备用；步骤四、制备混合溶液：取石蕊粉末，然后将质量百分比为50％～55％的石蕊粉末与质量百分比为45％～50％的稀释溶液充分搅拌，配制成混合溶液；步骤五、采用导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤四得到的混合溶液分别在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；步骤六、将步骤五中制备的带介电层的基片，放进40℃的干燥箱里干燥12小时以上；步骤七、通过直流溅射工艺在基片介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，得到具有银/石蕊/FTO结构的忆阻器件。
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