[发明专利]提纯多晶硅的装置

摘要

本发明公开了一种提纯多晶硅的装置，涉及多晶硅提纯技术领域。所述装置首先通过熔盐电解法制备硅‑铜合金，同时利用定向梯度凝固技术制备提纯硅晶体，在制备过程中，随着电解的进行，粗二氧化硅不断的溶解，且多晶硅不断的长大，在制备整块硅多晶后，利用区域熔炼技术再次提纯多晶硅，排出铜及其他共沉积杂质元素，实现利用粗二氧化硅制备高纯多晶硅，通过该方法制备的多晶硅的纯度可达99.9999%。

主权项

1.一种提纯多晶硅的装置，其特征在于：包括炉体（4），所述炉体（4）的底部设置有坩埚杆（16），所述坩埚杆（16）的下端位于所述炉体（4）外，所述坩埚杆（16）的上端位于所述炉体（4）内，坩埚杆（16）的上端固定有坩埚支撑（7），所述坩埚支撑（7）内设置有多功能电解槽坩埚（6），所述坩埚包括位于下侧的坩埚籽晶部（6‑3）、位于中部的坩埚晶体生长部（6‑2）以及位于上侧的坩埚电解部（6‑1），所述坩埚电解部（6‑1）的直径大于所述坩埚晶体生长部（6‑2）的直径，所述坩埚晶体生长部（6‑2）的直径大于所述坩埚籽晶部（6‑3）的直径，所述坩埚支撑（7）与所述多功能电解槽坩埚（6）相适配，与所述坩埚籽晶部（6‑3）相接触的坩埚支撑（7）的外侧设置有区域提纯用感应线圈（18），所述区域提纯用感应线圈（18）通过感应线圈支撑（17）进行支撑，且所述感应线圈支撑（18）上设置有线圈上下驱动装置，用于驱动所述感应线圈支撑（17）带动所述感应线圈（18）上下运动，对坩埚晶体生长部（6‑2）内的多晶硅（25）进行区域提纯；与所述坩埚晶体生长部（6‑2）相接触的坩埚支撑（7）的外侧从下到上设置有第一加热器（14）和第二加热器（13），所述坩埚籽晶部（6‑3）与坩埚晶体生长部（6‑2）的交汇处设置有第一水平过渡连接部，所述坩埚晶体生长部（6‑2）与所述坩埚电解部（6‑1）的交汇处设置有第二水平过渡连接部，与所述第二水平过渡连接部相接触的坩埚支撑（7）上设置有第三加热器（12），与所述坩埚电解部（6‑1）相接触的坩埚支撑（7）的外侧从下到上设置有第四加热器（11）和第五加热器（10），位置分别与铜‑硅熔体（9）及二氧化硅熔盐（8）的位置相对应；第一至第五加热器的外侧设置有磁感应器（19），所述磁感应器（19）用于对所述坩埚电解部（6‑1）内的物料进行电磁搅拌，所述磁感应器（19）的上侧面低于二氧化硅熔盐（8）的上表面，高于二氧化硅熔盐（8）与硅‑铜熔体（9）的界面，所述磁感应器（19）的下侧面低于坩埚晶体生长部（6‑2）与所述坩埚电解部（6‑1）的交汇处，高于硅籽晶（26）与硅‑铜熔体（9）的界面，所述坩埚电解部（6‑1）内设置有石墨电极阳极（5）和石墨电极阴极（20），所述坩埚电解部（6‑1）上侧的所述炉体（4）上设置有粗二氧化硅承载器（24），所述粗二氧化硅承载器（24）用于承载粗二氧化硅（23）。