[发明专利]碳化硅陶瓷及其复合材料的连接方法在审
| 申请号： | 201810854130.X | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN108863425A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王一光;赵幸;杨光;段刘阳 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;C04B41/88 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷及其复合材料的连接方法，用于解决现有碳化硅陶瓷的连接方法接头力学性能差的技术问题。技术方案是该方法采用三明治结构的连接层，所述的三明治结构左右是钛金属层，钛金属层之间是难熔金属层。在连接过程中，钛金属层与待连接的碳化硅陶瓷或者其复合材料相接触，利用钛金属层的高活性与母材充分反应，获得良好的界面结合强度。同时，难熔金属层与钛金属层快速固溶，从而提高碳化硅陶瓷或者其复合材料接头的使用温度，并降低连接温度。可以提高碳化硅陶瓷或者其复合材料接头的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅陶瓷 钛金属层 复合材料 难熔金属层 三明治结构 接头力学性能 界面结合 力学性能 连接过程 高活性 连接层 固溶 母材 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅陶瓷及其复合材料的连接方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、将待连接的碳化硅陶瓷或者碳化硅陶瓷复合材料连接面打磨后，在超声功率为80～120W条件下，用丙酮清洗5～10min，然后晾干；步骤二、在碳化硅陶瓷或者碳化硅陶瓷复合材料表面沉积1～2μm钛金属膜，然后在经过镀膜的碳化硅陶瓷或者碳化硅陶瓷复合材料中间插入50～200μm难熔金属箔；步骤三、将装配有连接层的碳化硅陶瓷或者碳化硅陶瓷复合材料的石墨模具放入放电等离子烧结炉中，以50～100℃/min升温速率至1000～1200℃，连接时间5min，升温过程施加20～50MPa的压力，然后以100℃/min的速率降温至室温。
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