[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201810855742.0 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN108987505A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 张俊兵;陈孝业;何自娟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池,包括硅基体,所述硅基体中设有选择性掺杂区域,所述选择性掺杂区域包括掺杂区域和非掺杂区域,所述选择性掺杂区域的表面上设有钝化介质层,所述钝化介质层上设有多晶硅薄膜,在所述多晶硅薄膜上且在与所述掺杂区域对应的位置处设有金属接触电极。该电池通过对金属接触下方的硅基体进行选择性的局部掺杂,能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤的难题,能更能够发挥好其电学性能。本发明还公开了上述太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 钝化介质层 选择性掺杂 太阳能电池 硅基体 多晶硅薄膜 掺杂区域 制备 金属接触电极 金属接触区域 非掺杂区域 电学性能 金属接触 局部掺杂 位置处 有效地 减小 损伤 电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括硅基体(1),其特征是:所述硅基体(1)中设有选择性掺杂区域(2),所述选择性掺杂区域(2)包括掺杂区域(21)和非掺杂区域(22),所述选择性掺杂区域(2)的表面上设有钝化介质层(3),所述钝化介质层(3)上设有多晶硅薄膜(4),在所述多晶硅薄膜(4)上且在与所述掺杂区域(21)对应的位置处设有金属接触电极(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的