[发明专利]一种基于多种异质结性能集成的杂化太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201810856544.6 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN109256468A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 赵秋原;王命泰;陈王伟;彭瑞祥;齐娟娟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y10/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于多种异质结性能集成的杂化太阳电池及其制备方法,太阳电池组成包括在玻璃衬基上依次沉积有阳极、TiO2纳米结构薄膜和CdS纳米结构薄膜组成的、有机共轭聚合物和有机共轭小分子组成的有机共混体异质结薄膜、无机空穴传输层、阴极。本发明电池实现了无机平板型异质结、杂化平板型异质结及有机体型异质结性能的集成,克服了现有TiO2纳米结构薄膜和纯有机共轭聚合物组成的杂化太阳电池中存在的瓶颈性不足,具有叠层状结构,关键材料膜层和器件的制备方法简便,对设备要求低,非常适合大面制备,在低价薄膜太阳电池领域具有很大的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 异质结 杂化 制备 纳米结构薄膜 有机共轭聚合物 有机共轭小分子 薄膜太阳电池 阴极 空穴传输层 玻璃衬基 层状结构 关键材料 无机平板 阳极 对设备 共混体 平板型 体型 膜层 薄膜 沉积 大面 电池 瓶颈 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于多种异质结性能集成的杂化太阳电池,其特征在于,玻璃衬基上沉积有太阳电池的ITO阳极,在太阳电池阳极上沉积有二元无机平板型异质结薄膜,在二元无机平板型异质结薄膜上沉积有有机共混体型异质结薄膜作为主要光吸收层,在主要光吸收层上沉积有MoO3薄膜作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积有电池的Au阴极;所述的二元无机平板型异质结薄膜由TiO2纳米结构薄膜和CdS纳米结构薄膜组成,且CdS纳米结构薄膜沉积于TiO2纳米结构薄膜之上;所述的有机共混体型异质结薄膜由p‑型有机共轭聚合物和n‑型有机共轭小分子组成。
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H01L51-52 ..器件的零部件
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