[发明专利]一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法在审
| 申请号： | 201810857480.1 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109116209A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 余学功;秦亚洲;胡泽晨;董鹏;崔灿;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为Nit的瞬态电容。对Nit关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 俘获 电荷 界面态密度 氧化硅薄膜 硅界面 氧化硅 载流子 能级 表面生长 单面生长 电容瞬态 电学测试 硅片表面 金属薄膜 能级位置 瞬态电容 发射 电容 硅片 刮擦 截距 求导 转化 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为Nit的瞬态电容。对Nit关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。
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