[发明专利]一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810859515.5 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767805A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李金华;沈涛;王强;李珊珊;王贤保 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430063 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、低表面能聚合物界面、有机小分子2，7‑Dioctyl[1]benzothieno[3，2‑b][1]benzothiophene(C8‑BTBT)与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、金属电极对。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法制备了性能均一可大面积制造的有机薄膜晶体管，这种混合体系以及工艺在低表面能聚合物界面上具有更加优良的性能，在这种界面上，小分子C8‑BTBT具有更高的结晶性，载流子迁移率有显著的提高，将这种小分子与聚合物混合体系及工艺与低表面能聚合物界面相结合，能够制备性能均一适用于大面积制造且同时具有高迁移率(超过10cm | ||
| 搜索关键词： | 低表面能聚合物 有机薄膜晶体管 高迁移率 高速中心 混合体系 小分子 均一 聚合物混合体系 载流子迁移率 惰性聚合物 光电元器件 有机小分子 金属电极 控制混合 依次设置 制备性能 结晶性 界面相 旋涂法 衬底 旋涂 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高迁移率有机薄膜晶体管及其制备方法，包括依次设置的衬底、低表面能聚合物界面、有机小分子2，7-Dioctyl[1]benzothieno[3，2-b][1]benzothiophene(C8-BTBT)与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂、金属电极对。/n
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