[发明专利]介质-金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器有效
| 申请号： | 201810861154.8 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108963724B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冯正;王大承;谭为 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米薄膜和非磁性纳米薄膜交替复合形成的多层结构。与现有技术相比，本发明提供的介质‑金属光子晶体采用特定结构，一方面能够更大程度上吸收激光能量，激发每个金属层产生太赫兹脉冲，另一方面能够使每个金属层产生的太赫兹波相干叠加，从而使太赫兹强度获得极大增强；应用于太赫兹脉冲发生器能够最大限度的利用飞秒激光能量，从而极大地提升太赫兹强度，且频谱宽、偏振可调。 | ||
| 搜索关键词： | 金属光子晶体 太赫兹脉冲 金属层 发生器 制备 磁性纳米薄膜 多层复合结构 吸收激光能量 多层结构 飞秒激光 交替复合 纳米薄膜 太赫兹波 相干叠加 非磁性 介质层 衬底 可调 偏振 频谱 绝缘 激发 应用 | ||
【主权项】：
1.一种介质‑金属光子晶体，具有式(I)所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底 式(I)；式(I)中，n为1～10之间的整数；所述介质层的材质为SiO2，厚度为25nm～2000nm；所述金属层为磁性/非磁性双层纳米薄膜或非磁性/磁性/非磁性三层纳米薄膜；所述绝缘衬底的材质为MgO，厚度为0.1mm～2mm。
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