[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810861608.1 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108922978B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 徐瑞鹏;王立夫;王艳萍;周鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极，其中，钙钛矿发光层包括层叠设置的第一亚层和第二亚层，形成第一亚层的材料包括无机钙钛矿材料，形成第二亚层的材料为有机钙钛矿材料。本发明所提出的发光二极管，其钙钛矿发光层包括层叠设置的无机的第一亚层和有机的第二亚层，如此，可降低发光层的载流子迁移率，减少器件中的发光淬灭现象，从而提高器件的发光亮度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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