[发明专利]HIT太阳电池的硼掺杂发射极结构与制备方法

摘要

本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及HIT太阳电池的硼掺杂发射极结构与制备方法。采用阶梯式硼原子掺杂浓度分布的薄膜，从高浓度逐步变为低浓度分布的硼原子，并且采用H₂等离子体处理阶梯式掺杂薄膜的界面，进一步引入CO₂或CH₄气体提高其光学带隙、降低掺硼薄膜的折射率。此结构能够有效地解决两个关键性问题：一、发射极的硼掺杂浓度增加，引起发射极缺陷态密度增加的问题，降低HIT太阳电池的开路电压；二、掺硼非晶硅薄膜的寄生性吸收问题，降低电池的前表面光学性能。最终，实现低复合、优越光学性能的掺硼发射极，提高HIT太阳电池的光电转换效率。

主权项

1.一种HIT太阳电池的硼掺杂发射极结构，其特征在于，该太阳电池的结构包括：n型硅片，a‑Si:H （i）钝化层，透明导电薄膜TCO，若干硼掺杂浓度的发射极，H2等离子体处理薄膜接触界面形成的富硅层和无主栅结构的银细珊线，该太阳电池的结构是以高光学带隙、低掺硼非晶硅薄膜的折射率、低薄膜界面复合、低薄膜缺陷态密度的阶梯式掺杂发射极结构特征。