[发明专利]具有快速响应和高瞬态电流的ESD器件

摘要

本申请公开具有对高瞬态电流快速响应的静电放电(ESD)器件(例如，300)。ESD器件包括短脉冲放电(SPD)路径和长脉冲放电(LPD)路径。SPD路径提供对ESD事件的鲁棒响应，并且SPD路径触发LPD路径的自偏置配置。有利地，SPD路径通过使短脉冲电流(诸如充电器件模型(CDM)电流)迅速放电来减少ESD电压过冲的风险，而LPD路径提供长脉冲电流(诸如人体模型(HBM)电流)的有效放电。在一个实施方式中，例如，SPD路径包括MOS晶体管(例如，322)，并且LPD包括双极晶体管(例如，324)，该双极晶体管具有耦接到MOS晶体管的源极(例如，344)的基极(例如，342)。

主权项

1.一种器件，包括：衬底，所述衬底具有表面；第一n掺杂区，所述第一n掺杂区从所述表面延伸；第一p掺杂区，所述第一p掺杂区从所述表面延伸并与所述第一n掺杂区通过界面相接；第二p掺杂区，所述第二p掺杂区从所述表面延伸并定位在所述第一n掺杂区内；第二n掺杂区，所述第二n掺杂区从所述表面延伸并定位在所述第二p掺杂区内；以及第三n掺杂区，所述第三n掺杂区从所述表面延伸并定位在所述第一p掺杂区内。