[发明专利]一种用于倒装封装的DDR接口有效
| 申请号： | 201810862722.6 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108766489B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 孔亮;刘亚东;庄志青 | 申请（专利权）人： | 灿芯半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/36 | 分类号： | G11C11/36 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪继祖 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于倒装封装的DDR接口，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源焊球；横向地RDL从外侧依次横向连接N型二极管和下拉单元，并纵向连接地焊球；信号RDL纵向穿过上拉单元和下拉单元之间，并纵向连接信号焊球；信号RDL从内侧依次横向连接上拉单元和P型二极管，同时从内侧依次横向连接下拉单元和N型二极管。减少底层非RDL金属线层数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 倒装 封装 ddr 接口 | ||
【主权项】：
1.一种用于倒装封装的DDR接口，其特征在于，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源焊球；横向地RDL从外侧依次横向连接N型二极管和下拉单元，并纵向连接地焊球；信号RDL纵向穿过上拉单元和下拉单元之间，并纵向连接信号焊球；信号RDL从内侧依次横向连接上拉单元和P型二极管，同时从内侧依次横向连接下拉单元和N型二极管。
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