[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810864107.9 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109003902B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构的制备方法在形成鳍部之前，在单晶半导体衬底上首先形成非单晶膜层，然后即可以在预设区域直接形成鳍部。这是由于所述非单晶膜层的存在，使得在形成所述鳍部的过程中，在非单晶膜层上会形成缺陷较多且非单晶结构的膜层结构，这些非单晶结构的膜层结构可以很容易地利用现有的刻蚀工艺或通过鳍部的外延过程的工艺参数控制来去除，从而达到只在所述预设区域中保留所述鳍部的目的。在形成所述鳍部的过程中无需对形成鳍部的材料的单晶结构进行刻蚀工艺的开发，也无需克服在浅沟槽隔离之间的沟槽中选择性外延鳍部的技术难题，为利用高迁移率沟道材料形成形貌良好的鳍部提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供单晶半导体衬底；对所述单晶半导体衬底上预设区域之外的区域形成非单晶膜层；在所述预设区域上形成鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
