[发明专利]修调电阻及其制造方法有效
| 申请号： | 201810864143.5 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109037191B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明通过提供一种修调电阻，其包括衬底、形成在衬底上的介质层、形成在介质层上表面的金属丝、在金属丝长度方向上位于金属丝两侧上方的修调窗口，金属丝包括第一金属层、间隔形成在第一金属层上表面的第二金属层及间隔形成在第二金属层上表面的第三金属层，修调电阻还包括位于第一金属层上方的熔丝窗口、形成在第三金属层及介质层上表面的钝化层及穿过钝化层、金属丝形成在介质层上的沟槽，在垂直于衬底的方向上位于沟槽内的第一金属层高于沟槽的底部。本发明还提供一种修调电阻的制备方法，制备方法简单，缩小所述修调电阻的尺寸，提高所述修调电阻的修调效率和精度，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种修调电阻，其特征在于：其包括衬底、形成在所述衬底上的介质层、形成在所述介质层上表面的金属丝、在所述金属丝长度方向上位于所述金属丝两侧上方的修调窗口，所述金属丝包括第一金属层、间隔形成在所述第一金属层上表面的第二金属层及间隔形成在所述第二金属层上表面的第三金属层，所述修调电阻还包括位于所述第一金属层上方的熔丝窗口、形成在所述第三金属层及所述介质层上表面的钝化层及穿过所述钝化层、金属丝形成在所述介质层上的沟槽，在垂直于所述衬底的方向上位于所述沟槽内的第一金属层高于所述沟槽的底部。
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