[发明专利]非接触式衬底操作设备在审
| 申请号： | 201810864892.8 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108987327A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 弓利军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴晓艳 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种非接触式衬底操作设备，设备包括：抓取臂（222）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有呈中心对称布置的多个吸片单元（102，103）；吸片单元（102，103）设置有腔体以及与腔体相通的切向孔（102‑1，103‑1）；抓取臂内部设置有通气管，抓取盘装置内部设置有通气腔道，通气管通过通气腔道与切向孔（102‑1，103‑1）连通，利用吸片单元生成的旋转涡流产生的压力差吸附衬底。本发明的设备，可以消除晶片自旋、偏斜情况，提高设备精确性；能够有效避免对晶片表面造成的污染、压伤等问题，提高产品的质量；可以进行高温取放片，提高设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 抓取 盘装置 衬底 吸片 非接触式 内部设置 切向孔 通气管 通气腔 抓取臂 腔体 中心对称布置 单元生成 晶片表面 设备产能 旋转涡流 压力差 晶片 偏斜 取放 吸附 压伤 自旋 连通 相通 污染 | ||
【主权项】：
1.一种非接触式衬底操作设备，其特征在于，包括：抓取臂（222）和抓取盘装置；所述抓取臂（222）的一端与所述抓取盘装置连接；在所述抓取盘装置的底部设置有呈中心对称布置的多个吸片单元（102，103）；所述吸片单元（102，103）设置有腔体以及与所述腔体相通的切向孔（102‑1，103‑1）；所述抓取臂内部设置有通气管，所述抓取盘装置内部设置有通气腔道，所述通气管通过所述通气腔道与所述切向孔（102‑1，103‑1）连通；其中，压缩气体通过所述通气管、所述通气腔道以及所述切向孔（102‑1，103‑1）输入所述腔体内，在所述腔体中形成旋转涡流，利用所述旋转涡流产生的压力差吸附衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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