[发明专利]一种BaHgSnSe4有效

专利信息
申请号: 201810865660.4 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN110791812B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 姚吉勇;郭扬武;李壮;罗晓宇 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: G02F1/355 分类号: G02F1/355
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;张红生
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种BaHgSnSe4非线性光学晶体及其制备方法和应用;BaHgSnSe4非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长;在该BaHgSnSe4非线性光学晶体的生长中,晶体具有生长速度较快、成本低、容易获得较大尺寸晶体等优点;所得BaHgSnSe4非线性光学晶体具有非线性光学效应大(同等条件下AgGaS2的6.3倍)、透光波段宽(1‑22μm),硬度较大,机械性能好,易于加工等优点;该BaHgSnSe4非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
搜索关键词: 一种 bahgsnse base sub
【主权项】:
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