[发明专利]存储器模块、存储器系统以及校准存储器模块的多管芯阻抗的方法有效

专利信息
申请号: 201810866354.2 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109390011B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 李俊夏;李昶教;严允柱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 存储器模块包括外部电阻器和共同连接到外部电阻器的多个存储器器件。每个存储器器件包括第一接收焊盘和第一发送焊盘。第一接收焊盘与接收阻抗校准命令相关联,并且第一发送焊盘与发送阻抗校准命令相关联。每个存储器器件通过环形拓扑将阻抗校准命令传送到在多个存储器器件中被选为主器件的第一存储器器件。第一存储器器件执行阻抗校准操作,响应于阻抗校准命令确定输出驱动器的电阻和目标输出高电平电压,并且在执行阻抗校准操作之后将阻抗校准命令传送到第二存储器器件。
搜索关键词: 存储器 模块 系统 以及 校准 管芯 阻抗 方法
【主权项】:
1.一种存储器模块,包括:外部电阻器,形成在模块板中;以及多个存储器器件,包括第一存储器器件和第二存储器器件,并且共同连接到所述外部电阻器,其中,所述多个存储器器件中的每一个包括:第一接收焊盘,与接收阻抗校准命令相关联;以及第一发送焊盘,与发送所述阻抗校准命令相关联,其中,所述多个存储器器件中的每一个被配置为通过由所述第一接收焊盘和所述第一发送焊盘构成的环形拓扑将所述阻抗校准命令传送到所述多个存储器器件中被选为主器件的所述第一存储器器件,以及其中,所述第一存储器器件被配置为响应于所述阻抗校准命令而针对所述第一存储器器件执行阻抗校准操作,以确定输出驱动器的电阻和目标输出高电平(VOH)电压,并且被配置为在针对所述第一存储器器件执行阻抗校准操作之后,通过所述第一存储器器件的第一发送焊盘将所述阻抗校准命令传送到与所述第一存储器器件相邻的所述第二存储器器件。
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