[发明专利]一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法在审
申请号: | 201810867218.5 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108847444A | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 王金桢 | 申请(专利权)人: | 王金桢 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;C08G73/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322209 浙江省金华市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及材料制备领域,具体关于一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法;本方法用2,2‑二溴‑4,4‑二氨基联苯和3,4,5‑三氟联苯基硼酸在三苯基膦醋酸钯和碳酸钾的催化作用下发生偶联反应,制备了一种含氟芳基联苯二胺单体;用该种单体和2,2‑二三氟苯基‑3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酐室温搅拌反应8‑15h后用封端剂封端后得到聚酰亚胺材料,将得到的材料旋涂于氧化铟锡玻璃上,蒸镀上铝膜电极,即可得到所述的一种聚酰亚胺电存储新材料。该种聚酰亚胺电存储新材料不含柔性链段,热稳定性好;该材料表现出稳定的存储特性,更低的光学带隙和更高的ON/OFF电流比,在电双稳态存储器件上具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 电存储 制备 联苯四羧酸二酐 三苯基膦醋酸钯 材料制备领域 聚酰亚胺材料 氧化铟锡玻璃 二氨基联苯 联苯基硼酸 材料表现 催化作用 存储器件 存储特性 电双稳态 光学带隙 联苯二胺 铝膜电极 偶联反应 热稳定性 柔性链段 室温搅拌 电流比 封端剂 氟苯基 碳酸钾 芳基 封端 含氟 旋涂 蒸镀 应用 | ||
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺电存储新材料的制备方法,制备技术方案如下:按照质量份数,将59.5‑68.3份的含氟芳基联苯二胺单体和200‑500份的N,N‑二甲基乙酰胺加入到反应釜中,在氮气保护下,在室温下搅拌均匀后,将44.5‑52.8份的2,2‑二三氟苯基‑3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酐分3次加到反应釜中,加完后室温搅拌反应8‑15h;完成反应后,将7.5‑15.6份的封端剂和12.3‑20.6份的乙酸酐加入到反应釜中,然后控温100‑150℃,搅拌反应4‑10h;再加入0.01‑0.3份的1‑芴甲氧羰酰基‑1‑氨基环戊烷羧酸、0.01‑0.3份2‑(1‑叔丁氧羰基哌嗪‑4‑YL)丙酸、0.01‑0.08份的3‑(1,1,1‑三丁基甲锡烷)嘧啶、0.01‑0.8份聚氧异亚丁基/亚甲基脲共聚物,然后控温80‑110℃,搅拌反应1‑5h;完成反应后将物料倒入甲醇中沉析,过滤,洗涤,干燥后将得到的固体10‑20份溶解在100‑300份的N,N‑二甲基乙酰胺中,然后旋涂于氧化铟锡玻璃上,然后在60‑80℃的真空干燥箱中干燥15‑25h,然后采用真空蒸镀法将铝膜电极覆盖在聚合物表面,即可制得一种聚酰亚胺电存储新材料。
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