[发明专利]用于形成电阻的半导体结构和电阻的形成方法在审
| 申请号： | 201810867447.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108987572A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑玉宁;方绍明 | 申请（专利权）人： | 深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于形成电阻的半导体结构和电阻的形成方法。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。所述用于形成电阻的半导体结构能够提高所形成的电阻的尺寸精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 半导体结构 掩膜层 源区 场氧化层 衬底 半导体 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。
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