[发明专利]碳纳米管增强太赫兹硅光栅调制器及制作方法在审
| 申请号： | 201810870081.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109031705A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;刘洋;张福领;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;徐颖 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管增强太赫兹硅光栅调制器及制作方法，利用一种新的加工技术途径，针对太赫兹频段的调制器件，提供一种单壁碳纳米管聚丙烯酸乳液复合物与悬空梯形硅光栅结合的复合结构。该调制器件可以在太赫兹波入射情况下，实现特定太赫兹波波长的调制功能。同时表现出极强的偏振相关性，即对于TE模式，该调制器在0‑1.0太赫兹的消光比大小几乎和硅晶圆相同；对于TM模式，该调制器在0.44太赫兹出现较强的谐振峰，其消光比达到60dB。因此，该偏振相关的碳纳米管悬空光栅太赫兹调制器具有结构简单、成本低、偏振相关性、高消光比等优点，在太赫兹成像和通信领域中具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 消光比 偏振 碳纳米管增强 光栅调制器 调制器件 太赫兹波 调制器 单壁碳纳米管 聚丙烯酸乳液 太赫兹调制器 太赫兹成像 光栅 复合结构 技术途径 碳纳米管 通信领域 悬空光栅 复合物 硅晶圆 谐振峰 波长 频段 入射 调制 制作 悬空 加工 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管增强太赫兹硅光栅调制器，其特征在于，硅片中心区域为硅光栅，光栅截面呈现梯形状，光栅槽深与硅片厚度相同，为悬空硅光栅，悬空硅光栅上层平铺一层均匀厚度的碳纳米管材料，硅光栅悬空部分也由碳纳米管材料填充连接，平铺后光栅截面保持梯形状。
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