[发明专利]驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810870394.4 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110797431B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18;H01L31/028 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge |
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| 搜索关键词： | 驰豫 gesn 红外 雪崩 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，其特征在于，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；/n所述电荷倍增结构采用Si材料构成；/n所述吸收层采用驰豫Ge
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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