[发明专利]采用相对光谱旋转体体积表征AlGaInP基LED结温的方法

摘要

本发明公开了一种以波长380nm为起始点的相对光谱分布绕Y轴旋转之体积表征AlGaInP基LED结温的方法，属于LED光电检测领域。本发明在小电流下驱动AlGaInP基LED发光，然后用光谱分析仪测量不同温度条件下AlGaInP基LED的相对光谱分布，并计算出以(峰值波长‑380nm)为起始点的相对光谱分布绕Y轴旋转之体积，得到该体积随结温的变化系数。最后根据该系数，结合已知结温时的相对光谱旋转体积，测算出待测条件下AlGaInP基LED结温。由于相对光谱旋转体之体积对带宽和测量精度要求均较低，因此，本方法使用成本较低的普通光谱仪即可完成测量，且多次测量稳定性和准确性好。测量方法简单易操作，测量过程中不接触LED本身，使用范围广。

主权项

1.采用相对光谱旋转体体积表征AlGaInP基LED结温的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在小电流下驱动AlGaInP基LED发光，然后用光谱分析仪测量不同温度Ta和Tb条件下AlGaInP基LED的相对光谱，并记录下Ta和Tb温度时的相对光谱分布；b)计算不同温度对应的相对光谱旋转体体积，计算公式如下：相对光谱绕y轴旋转体体积的计算方法是：(1)将横坐标的380nm设定为起始位置，即原点；(2)相对光谱分布y＝F(λ)，写成λ＝F(y)形式；(3)相对光谱旋转体体积计算公式，写成求和形式为：公式左侧为相对光谱分布的右半部分，右侧为相对光谱分布的左半部分；旋转体积之积‑结温系数K的计算公式为：c)测量小电流驱动下以及工作环境下待测LED的相对光谱旋转体体积(Vλ)I和(Vλ)x，以及环境温度T，通过下式计算出工作电流下的结温：Tj＝T+K[(Vλ)x‑(Vλ)I]。