[发明专利]一种SiC陶瓷结构件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810872908.X | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108947537B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 满积友;鲍崇高;宋索成;赵纪元 | 申请（专利权）人： | 西安增材制造国家研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/573;C04B35/622;B28B1/00;B33Y10/00;B33Y70/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC陶瓷结构件及其制备方法。该方法将SiC粉末、C粉和粘结剂粉末混合后通过SLS制备出陶瓷坯体，首先选择合适的颗粒级配混合均匀粉末后打印成型，通过冷等静压技术处理陶瓷坯体，使得陶瓷坯体中的粉末颗粒排列更为紧密，提高陶瓷坯体的致密度；再通过渗硅反应烧结，使得单质硅与单质碳颗粒在烧结过程中形成SiC，减少了试件中单质硅的存在，反应生成的SiC使得试件的致密度进一步提高，降低了试件的孔隙率，提升试件的力学性能；该方法首次在3D打印SiC陶瓷时，将C粉作为原料之一并调整C粉和SiC粉的颗粒级配，为后续的冷等静压和反应烧结做准备。通过本发明的方法制得的结构件密度为3.01～3.11g/cm3，弯曲强度为290～330MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 结构件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC陶瓷结构件，其特征在于，所述SiC陶瓷结构件密度为3.01～3.11g/cm3，弯曲强度为290～330Mpa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安增材制造国家研究院有限公司，未经西安增材制造国家研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810872908.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
