[发明专利]光刻方法和光刻系统有效
| 申请号： | 201810873364.9 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN108873623B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | A·尼基佩洛维;W·恩格伦;J·艾科曼斯;E·鲁普斯特拉;O·弗里吉恩斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;范怀志 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于自由电子激光器的喷射器，包括：光阴极；辐射源，可操作用于发出脉冲辐射束并且引导所述脉冲辐射束入射在所述光阴极上，由此使得所述光阴极发出由所述喷射器输出的电子束团的束，每个电子束团对应于所述辐射束的脉冲；以及控制设备，可操作用于中断所述电子束以便于使得所述辐射束的至少一个脉冲在从所述喷射器输出的所述电子束中基本上不具有相关联的电子束团。
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