[发明专利]一种在N型砷化镓表面形成欧姆接触的合金靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201810874089.2 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108950504B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 江苏环奥金属材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C22C28/00;C22C1/02;C22F1/16 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;陈彩霞 |
| 地址： | 225000 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的合金靶材及其制备方法。具体涉及一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的铟金合金靶材及其制备方法。提供了一种附着性好、塑性好、制备方法简单的铟金合金靶材及其制备方法。本发明相比于金锗合金，使用铟金合金靶材可在砷化镓表面直接形成良好的欧姆接触。同时，利用本发明制备方法制得的铟金合金的断后伸长率可达23.5‑30%，塑性好，可根据不同场合的需求加工成所需形状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型砷化镓 表面 形成 欧姆 接触 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的合金靶材，其特征在于，包括如下组分：2‑8 wt% 金和 92‑98 wt% 铟。
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