[发明专利]一种过渡金属硫化物应力调控的方法

摘要

本发明公开了一种过渡金属硫化物应力调控的方法，该方法包括：衬底制备、过渡金属硫化物转移及应力调控步骤，通过光刻技术，在衬底做出图形，再通过刻蚀技术，在衬底刻蚀不同宽度和深度的凹槽，将材料转移到凹槽上，使得凹槽上方的材料发生悬浮。本发明将过渡金属硫化物与衬底分离开，使过渡金属硫化物悬浮，使其不受衬底影响，且不需外部条件，由于重力作用，自身产生局部应力。通过给过渡金属硫化物施加不同的应力值，可以有效对过渡金属硫化物性能进行调控，通过不同的外场调控满足对于过渡金属硫化物不同性能需求。

主权项

1.一种过渡金属硫化物应力调控的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：衬底制备在衬底上旋涂光刻胶，采用掩模板，对衬底曝光，使得被曝光区域的光刻胶改性；曝光后，将衬底放入显影液中显影，直到改性的光刻胶全部溶解后，用气枪将衬底吹干，光刻完成；将光刻后的衬底放入刻蚀机中，对衬底暴露在外面的部分进行刻蚀，刻蚀深度为150‑300nm；刻蚀完成后，衬底上会出现凹槽，用去胶液将衬底上的光刻胶洗去并吹干，衬底制备完成；步骤2：过渡金属硫化物转移通过纳米材料转移台，将过渡金属硫化物与衬底上的凹槽进行对准，确保过渡金属硫化物的两侧均搭在凹槽的边缘上，且过渡金属硫化物悬浮在凹槽的上方，实现过渡金属硫化物向衬底的转移；步骤3：应力调控采用AFM测量悬浮的过渡金属硫化物的下榻高度H与长度L，利用其高度H与长度L，采用应力公式：调控过渡金属硫化物的应力值。