[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201810875144.X | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN110797417A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 辛科;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 11584 北京智晨知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及光伏领域,公开了一种太阳能电池的制备方法。本发明中,太阳能电池的制备方法包括以下步骤:(1)提供耐温度≥600℃的耐高温玻璃基板;(2)在耐高温玻璃基板上设置背电极层;(3)划刻并贯穿背电极层,划刻线为P1划刻线;(4)在背电极层上设置光电转换层,光电转换层包括光吸收层和过渡层;(5)划刻并贯穿光电转换层,划刻线为P2划刻线;(6)在光电转换层上设置透明前电极层;(7)划刻并贯穿光电转换层与透明前电极层组成的复合层,划刻线为P3划刻线;其中,P1划刻线,P2划刻线,P3划刻线错位设置。本发明提供的太阳能电池的制备方法,能够减小玻璃基板的翘曲度,提高太阳能电池的良品率。 | ||
搜索关键词: | 划刻 光电转换层 太阳能电池 背电极层 玻璃基板 制备 透明前电极层 耐高温 贯穿 错位设置 光吸收层 复合层 过渡层 良品率 翘曲度 光伏 减小 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:/n(1)提供耐温度≥600℃的耐高温玻璃基板;/n(2)在所述耐高温玻璃基板上设置背电极层;/n(3)划刻并贯穿所述背电极层、以使所述背电极层均匀分割为多个相互绝缘的背电极层单元,所述划刻并贯穿所述背电极层的划刻线为P1划刻线;/n(4)在所述背电极层上设置光电转换层,所述光电转换层包括光吸收层和过渡层;/n(5)划刻并贯穿所述光电转换层、以使所述光电转换层均匀分割为多个相互绝缘的光电转换层单元,所述划刻并贯穿所述光电转换层的划刻线为P2划刻线;/n(6)在所述光电转换层上设置透明前电极层;/n(7)划刻并贯穿所述光电转换层与所述透明前电极层组成的复合层,以使所述复合层均匀分割为多个相互绝缘的复合层单元,所述划刻并贯穿所述光电转换层与所述透明前电极层组成的复合层的划刻线为P3划刻线;/n其中,所述P1划刻线,所述P2划刻线,所述P3划刻线错位设置。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810875144.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的