[发明专利]一种高纯度钙钛矿薄膜制备方法有效
申请号: | 201810875565.2 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109037459B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 董欢;唐立丹;王冰;齐锦刚;刘亮;彭淑静 | 申请(专利权)人: | 辽宁工业大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 李烨 |
地址: | 121001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
本发明公开了一种高纯度钙钛矿薄膜制备方法。包括:a、配制1mol/ml的PbI |
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搜索关键词: | 一种 纯度 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯度钙钛矿薄膜制备方法,包括:a、配制1mol/ml的PbI2前驱体溶液;b、将1mol/ml的PbI2前驱体溶液放入脉冲电磁场发生设备中,在电压300~500V,频率为1~5Hz下,脉冲时间为60s~80s;c、将经过脉冲处理后的PbI2前驱体溶液滴至在准备好的基底上,旋涂得到PbI2薄膜,旋涂条件为,速度4000~5500rmp,旋转40~50s;d、将PbI2薄膜在加热台上加热,形成透明的淡黄色薄膜;e、配制0.038mg/ml的CH3NH3I溶液;f、用移液枪量取100~120ul的0.038mg/ml CH3NH3I溶液,滴涂在步骤e中所得的淡黄色薄膜上,旋涂条件为,速度4000~4500rmp,旋转30~40s,获得钙钛矿薄膜;g、将钙钛矿薄膜在加热台上加热,使钙钛矿薄膜由黄色变成深棕色,即得高纯度钙钛矿薄膜;其中,在步骤b中,所述电脉冲的输出波形函数为:式中,δ2为脉冲形成因子,γ为电脉冲装置电极间的距离m,t为电脉冲处理时间s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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