[发明专利]一种基于巨磁阻抗效应的三轴平面化磁传感器有效
| 申请号： | 201810875668.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109061528B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 欧阳君;梁进龙;晋芳;王晋超 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于巨磁阻抗效应的三轴平面化磁传感器，包括：平面偏置线圈、4段相同的GMI材料和磁环，所述4段相同的GMI材料位于平面偏置线圈的两条相互垂直且经过平面偏置线圈中心的线段上，所述磁环位于GMI材料的上方，磁环中心位于平面偏置线圈中心的正上方，所述平面偏置线圈为圆形或者正N边形，N为大于等于4的偶数。本发明的三轴平面化磁传感器不存在正交误差问题，可以通过MEMS工艺实现，便于微型化，有更高的集成度，更广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 效应 平面化 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于巨磁阻抗效应的三轴平面化磁传感器，其特征在于，包括：平面偏置线圈(1)、4段相同的GMI材料(2)和磁环(3)，所述4段相同的GMI材料(2)位于平面偏置线圈(1)的两条相互垂直且经过平面偏置线圈(1)中心的线段上，所述磁环(3)位于GMI材料(2)的上方，磁环(3)中心位于平面偏置线圈(1)中心的正上方，所述平面偏置线圈(1)为圆形或者正N边形，N为大于等于4的偶数。
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