[发明专利]一种带有内层空腔结构的SOI产品的制备方法

摘要

一种内部带有内层空腔结构的SOI产品的制备方法，其以单晶硅片为原料，依次进行下述操作以便制备得到具有内部空腔结构的SOI产品：空腔制备、SOI产品的制备；其中：空腔制备具体要求依次进行下述操作：光刻、BOSH干法硅刻蚀、湿制程去胶、湿制程清洗；SOI产品的制备要求是依次进行下述操作：低温等离子键合、高温退火、倒角、机械研磨抛光。本发明将光刻工艺与干法刻蚀工艺相结合的方式制备出了带有特定空腔结构的衬底单晶硅片，丰富了未来SOI的生产多样性。相对于现有技术而言，本发明具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。

主权项

1.一种带有内层空腔结构的SOI产品的制备方法，其特征在于：其以单晶硅片为原料，依次进行下述操作以便制备得到具有内部空腔结构的SOI产品：内部空腔的制备、SOI的加工；其中：/n空腔制备具体要求依次进行下述操作：光刻、BOSH干法硅刻蚀、湿制程去胶、湿制程清洗；/n光刻的具体要求是：首先将衬底单晶硅片抛光面涂布正向光阻，使用正性光阻胶AZP4620用作光致抗蚀剂，涂布胶量为每片产品6.5±1.5ml，转速500±100rpm，200±50s，软烤90±3℃60±15min，然后采用G-line光刻设备对光刻加工后的单晶硅片进行掩膜板图形转移，显影后硬烤130±10℃，25±5min固化；/n采用BOSH干法刻蚀工艺对光刻处理后的单晶硅片进行干法刻蚀加工，按照光刻所得图形分布进行深硅刻蚀作业，刻蚀深度：10-20um；/n湿制程去胶、湿制程清洗的要求是：采用湿制程去胶工艺对光刻后硅片上残留的正性光阻胶AZ P4620进行去胶处理；之后清洗干净；/nSOI产品的制备要求是依次进行下述操作：低温等离子键合、高温退火。/n