[发明专利]使用自控层分离方式制备绝缘层上的硅结构的方法在审
| 申请号： | 201810876184.6 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797297A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 彦丙智 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 使用自控层分离方式制备绝缘层上的硅结构的方法，其特征在于：利用注入层加热后反应产出微汽泡，在真空条件下微汽泡膨胀破裂，晶圆内外产生压力差使键合晶圆自动分离形成绝缘层上硅的结构。本发明利用TM‑SOI制备的SOI硅片，注入层在真空的环境下，高温提供了反应能量形成微汽泡，真空使得微汽泡膨胀后产生了内外压力差，使得晶圆自动分离。其大大减少了硅片表面的颗粒，提高了硅片的洁净度；其具有突出的明显更好的技术效果。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 汽泡 晶圆 自动分离 注入层 制备 绝缘层 膨胀 绝缘层上硅 反应能量 分离方式 硅片表面 技术效果 真空条件 硅结构 洁净度 压力差 预期的 硅片 自控 键合 加热 破裂 | ||
【主权项】：
1.使用自控层分离方式制备绝缘层上的硅结构的方法，其特征在于：具体要求是：利用硅片注入H+后进行晶圆键合，键合晶圆在密闭空间内真空条件下加热后注入层反应产出微汽泡，在一定时间下微汽泡膨胀破裂，键合晶圆内外产生压力差使键合晶圆自动分离形成绝缘层上的硅结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
