[发明专利]电子装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201810876651.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797298A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 许博云;高克毅;曾嘉平 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子装置及其制备方法，其中，电子装置的制备方法包括下列步骤：提供基板；形成金属层于基板上，金属层具有第一表面；形成第一绝缘层于金属层上；形成第二绝缘层于第一绝缘层上；刻蚀第一绝缘层与第二绝缘层以形成接触孔，且接触孔暴露部分的第一表面；用溶液清洗接触孔所暴露的部分的第一表面；以及形成透明导电层于第二绝缘层上，且透明导电层与金属层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 第一表面 接触孔 金属层 透明导电层 电子装置 基板 制备 金属层电性 溶液清洗 暴露 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置的制备方法，包括下列步骤：/n提供一基板；/n形成一金属层于所述基板上，所述金属层具有一第一表面；/n形成一第一绝缘层于所述金属层的第一表面上；/n形成一第二绝缘层于所述第一绝缘层上；/n刻蚀所述第一绝缘层与第二绝缘层以形成一接触孔，且所述接触孔暴露部分的第一表面；/n以一溶液清洗所述接触孔所暴露的部分的第一表面；以及/n形成一透明导电层于所述第二绝缘层上，且所述透明导电层与所述金属层电性连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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