[发明专利]对被处理体进行处理的方法有效

专利信息
申请号: 201810877048.9 申请日: 2018-08-03
公开(公告)号: CN109390274B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 横山政司;滨康孝 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中,被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜、设置于绝缘膜上并提供开口的金属掩模,绝缘膜具备通孔,该通孔设置于从开口露出的地方的一部分。该方法具备:第一工序,在被处理体的通孔的侧面形成牺牲膜;以及第二工序,对牺牲膜和绝缘膜进行蚀刻,来在通孔的底面进一步形成通孔,并从该通孔去除牺牲膜。
搜索关键词: 处理 进行 方法
【主权项】:
1.一种对被处理体进行处理的方法,该被处理体具备具有布线的布线层、设置于该布线层上的防扩散膜、设置于该防扩散膜上的绝缘膜、设置于该绝缘膜上并提供开口的金属掩模,该绝缘膜具备设置于从该开口露出的地方的一部分的沟槽和设置于该沟槽的一部分的第一通孔,该方法具备:第一工序,在所述被处理体的所述沟槽和所述第一通孔的侧面形成牺牲膜;以及第二工序,对所述牺牲膜和所述绝缘膜进行蚀刻,来在比所述第一通孔的底面更深的位置形成第二通孔,并从该沟槽和该第一通孔去除该牺牲膜。
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