[发明专利]一种干法刻蚀设备在审
| 申请号： | 201810877126.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109065432A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 罗林;盖晨光;陈杰;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种干法刻蚀设备，包括：气体供给部，所述气体供给部位于所述干法刻蚀设备的上电极中，与晶圆平行设置，所述气体供给部的下表面面积不小于所述晶圆的上表面面积；所述气体供给部自内而外依次包括中心区、包围所述中心区的中间区及包围所述中间区的边缘区，其中，所述边缘区划分为至少两个边缘区气体室，所述边缘区气体室贯穿所述边缘区；通过调节所述气体供给部各区域中的反应气体，使所述晶圆具有均匀的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供给部 边缘区 干法刻蚀设备 晶圆 气体室 中间区 中心区 包围 反应气体 平行设置 气体供给 上表面 下表面 电极 刻蚀 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种干法刻蚀设备，其特征在于，所述干法刻蚀设备包括：气体供给部，所述气体供给部位于所述干法刻蚀设备的上电极中，与晶圆平行设置，所述气体供给部的下表面面积不小于所述晶圆的上表面面积；所述气体供给部自内而外依次包括中心区、包围所述中心区的中间区及包围所述中间区的边缘区，其中，所述边缘区划分为至少两个边缘区气体室，所述边缘区气体室贯穿所述边缘区；通过调节所述气体供给部各区域中的反应气体，使所述晶圆具有均匀的刻蚀速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810877126.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氧化物气化去除装置
- 下一篇：一种常压脉冲辅助平板射频辉光放电的装置与方法
