[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810877186.7 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807447B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴罚;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成分立的金属栓；在所述第一绝缘层表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖所述金属栓的侧壁；在所述层间介质层表面形成第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层，形成与所述光电二极管相对应的反射区，所述反射区远离光电二极管的表面为凸面。本发明技术方案有效减少了光的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成分立的金属栓；在所述第一绝缘层表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖所述金属栓的侧壁；在所述层间介质层表面形成第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层，形成与所述光电二极管相对应的反射区，所述反射区远离光电二极管的表面为凸面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
