[发明专利]改进的锗蚀刻系统和方法在审
| 申请号： | 201810877233.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390228A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | M·科罗利克;N·英格尔;D·基欧西斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 锗材料 半导体处理腔室 蚀刻 处理区域 催化材料 流出物 前驱物 含氟 远程等离子体 暴露区域 氟自由基 流出物流 腔室部件 蚀刻系统 基板 容置 涂覆 改进 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻含锗材料的方法，所述方法包括：在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体；使所述含氟前驱物的等离子体流出物流过腔室部件中限定的孔，其中所述孔被涂覆有催化材料；用所述催化材料来降低所述等离子体流出物中的氟自由基的浓度；将所述等离子体流出物递送到所述半导体处理腔室的处理区域，其中包含含锗材料的基板被容置在所述处理区域中；以及蚀刻所述含锗材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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