[发明专利]一种高速率去硅的蚀刻装置及蚀刻方法

摘要

本发明公开了一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架、支撑架下端所设的底板、支撑架上端所设的顶板、顶板下端所设的下压座、下压座下端所设的蚀刻板、底板上端所设的弹性支撑版与弹性支撑版上端所设的硅晶片托盘，本发明还公开了一种高速率去硅的蚀刻方法，包含以下步骤：步骤一：清理准备工作；步骤二：安装硅晶片；在此发明中，通过下压座上端的气泵对蚀刻槽内所形成的气相颗粒进行快速回吸，使得硅晶片的表面不会形成气相沉积膜，使蚀刻槽始终保持良好的接触反应效率，提高了蚀刻的速率；通过真空泵将硅晶片吸附在定位槽内，这种固定方式避免了硬接触，使得硅晶片在被牢固固定的同时不会受损，进而提高了蚀刻的成品率。

主权项

1.一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架(1)、支撑架(1)下端所设的底板(2)、支撑架(1)上端所设的顶板(3)、顶板(3)下端所设的下压座(6)、下压座(6)下端所设的蚀刻板(9)、底板(2)上端所设的弹性支撑版(7)与弹性支撑版(7)上端所设的硅晶片托盘(8)，其特征在于：所述支撑架(1)的主体为C形板状结构，且在支撑架(1)的下端设有方形板状结构的底板(2)，所述底板(2)的上端设有方形槽体结构的安装槽I(201)，且在安装槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I(203)，所述底板(2)上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I(202)，所述安装槽I(201)内插配有方形板状结构的弹性支撑版(7)，所述弹性支撑版(7)的上端设有方形槽体结构的安装槽III(701)，且在安装槽III(701)内插配有方形板状结构的硅晶片托盘(8)；所述支撑架(1)的上端设有方形板状结构的顶板(3)，且在顶板(3)的中间设有方形凸台结构的安装板(301)，所述安装板(301)的上端匹配安装有液压缸(5)，所述安装板(301)的两侧对称设有两个圆柱形孔状结构的导向孔(302)，所述液压缸(5)下端的活塞杆贯穿于顶板(3)的上下两端面并且与下压座(6)匹配连接在一起，所述下压座(6)的主体为方形板状结构的下压板(601)，且在下压板(601)上端面中心位置的两侧对称设有两个与导向孔(302)相滑动套配的圆柱形结构的导向柱(602)，所述下压板(601)上端面的四个对角处对称设有两个气泵(605)与两个气瓶(607)，所述气瓶(607)的上端与气泵(605)通过气管相连通，且两个气瓶(607)的上端同样通过气管相连通，并且在此气管中间配设有过滤器(608)，所述下压板(601)的四角位置处对称设有四个与导向销I(202)相套配的圆柱形孔状结构的导向孔II(603)，且在下压板(601)的下端面上设有十字形槽体结构的安装槽II(609)，所述安装槽II(609)槽底的中间向下压板(601)的上端面引有两个对称设置的圆柱形孔状结构的过孔I(604)，所述安装槽II(609)槽底的对角位置处对称设有两个圆柱形结构的导向销II(610)，所述安装槽II(609)内插配有方形板状结构的蚀刻板(9)。