[发明专利]一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置有效
| 申请号： | 201810878651.9 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109148678B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘永;李加睿;周虎川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周刘英 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置包括由下至上依次设置的硅基底、二氧化硅衬底、敏感材料层、红外吸收层、顺磁材料层和电极层。硅基底中心位置设置隔热空腔；二氧化硅衬底三个侧面设置隔热缝隙；红外吸收层面积小于敏感材料层面积，设置在远离未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；顺磁材料层由顺磁性材料蒸镀成窄条状，位于未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；电极层蒸镀在窄条状顺磁材料层长度方向的两端。与传统的非制冷红外传感器相比，本发明的红外传感器响应率提高了一个数量级，比探测率提高了两个数量级，对红外辐射有更高的探测灵敏度同时具有更低的噪声水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 旋塞 贝克 效应 制冷 红外传感器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置，其特征在于，所述非制冷红外传感器装置(100)包括由下至上依次设置的硅基底(110)、二氧化硅衬底(120)、敏感材料层(130)、红外吸收层(140)、顺磁材料层(150)和电极层(160)；所述硅基底(110)中心位置设置一隔热空腔；所述二氧化硅衬底(120)沉积在硅基底(110)上方，并在二氧化硅衬底(120)的三个侧面设置隔热缝隙(170)；所述敏感材料层(130)由具有自旋塞贝克效应的敏感材料薄膜沉积而成；所述红外吸收层(140)由红外吸收材料薄膜沉积而成，其面积小于敏感材料层的面积，并设置在远离未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层(130)的上方；所述顺磁材料层(150)由顺磁性材料蒸镀成窄条状，位于未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层(130)的上方，利用逆自旋霍尔效应将自旋电流转化为电压；所述电极层(160)中的两个输出端子分别蒸镀在窄条状顺磁材料层的两端，用于测量非制冷红外传感器装置的电压输出。
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