[发明专利]一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统有效
申请号: | 201810878720.6 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109390251B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 朴庸硕;徐奎元;朴康淳;赵才衍;金珉植;具宝拉 | 申请(专利权)人: | 显示器生产服务株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;黄谦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及在一个流程空间中可清除基板上的雾并将基板表面改质的基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统,包括形成了用于处理基板的内部空间的腔室本体;传送基板的传送装置;在腔室本体内相邻于基板的传出口侧的第一区域,和设置在传送装置的上方的对所传送基板照射紫外线的紫外线照射装置;在腔室本体内相邻于基板的传入口侧的第二区域,和设置在传送装置的下方加热腔室本体内部空间的红外线加热装置;设置在紫外线照射装置的相反方向,用于反射紫外线照射装置所生成的热量、至少包含一个第一反射板的第一反射装置;及设置在红外线加热装置的相反方向,用于反射红外线加热装置所生成的热量、至少包含一个第二反射板的第二反射装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 利用 直列式基板 系统 | ||
【主权项】:
1.基板处理装置,包括:腔室本体,形成了用于处理基板的内部空间;传送装置,设置在所述腔室本体,传送所述基板;紫外线照射装置,设置在所述腔室本体内部空间中与所述基板所传出的传出口相邻的第一区域,且设置在与所述传送装置的上方相隔一定距离,对所传送的基板照射紫外线紫外线照射装置;红外线加热装置,设置在所述腔室本体内部空间中与所述基板所传入的传入口相邻的第二区域,并设置在所述传送装置的下方且相隔一定距离,加热所述腔室本体内部空间;第一反射装置,其装置以所述基板为基准、设置在所述紫外线照射装置的相反方向,用于反射所述紫外线照射装置所生成的热量,至少包含一个第一反射板;及第二反射装置,以所述基板为基准、设置在所述红外线加热装置的相反方向,用于反射所述红外线加热装置所生成的热量,至少包含一个第二反射板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于显示器生产服务株式会社,未经显示器生产服务株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810878720.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置及基板处理方法
- 下一篇:基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造