[发明专利]具有受限尺寸的非易失性存储器有效
| 申请号： | 201810879079.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109427393B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有受限尺寸的非易失性存储器。一种存储器设备包括：存储器平面，包括第一导电类型的一系列相邻半导体凹槽，其中每个半导体凹槽容纳包括多个存储器单元的多个存储器字，其中每个存储器单元包括具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管。存储器设备还包括被分别分配给多个存储器字中的每个存储器字的多个控制栅极选择晶体管，其中每个控制栅极选择晶体管被耦合到该控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的状态晶体管的控制栅极，其中每个控制栅极选择晶体管位于容纳该控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的半导体凹槽的相邻半导体凹槽中和该相邻半导体凹槽上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受限 尺寸 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：存储器平面，包括第一导电类型的一系列相邻半导体凹槽，其中每个半导体凹槽容纳包括多个存储器单元的多个存储器字，其中每个存储器单元包括具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管；以及多个控制栅极选择晶体管，所述多个控制栅极选择晶体管分别被分配给所述多个存储器字中的每个存储器字，其中每个控制栅极选择晶体管被耦合到所述控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的所述状态晶体管的所述控制栅极，其中每个控制栅极选择晶体管位于容纳所述控制栅极选择晶体管被分配给的所述存储器字的半导体凹槽的相邻半导体凹槽中和所述相邻半导体凹槽上。
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