[发明专利]多结太阳能电池装置的制造

摘要

本发明涉及用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置包括第一拉链层与第一晶种层的第一创制衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且使所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合。

主权项

1.一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置由由GaAs构成的最终基础衬底；设置第二衬底；将由lnP构成的第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且将所述第二晶片结构结合至所述第一晶片结构；其中，将所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合的步骤包括：使得所述至少一个第二太阳能电池层接触所述至少一个第一太阳能电池层；以及在400摄氏度至600摄氏度的温度下对所述至少一个第二太阳能电池层和所述至少一个第一太阳能电池层进行退火；其中，所述第二衬底和所述最终基础衬底均由GaAs构成；所述至少一个第一太阳能电池层包括由GalnAs构成的第一层和位于所述第一层上的由GalnAsP构成的第二层；所述至少一个第二太阳能电池层包括由GalnP构成的第四层和位于所述第四层上的由GaAs构成的第三层；其中，将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底的步骤包括如下步骤：将第一衬底结合至所述最终基础衬底，并且在注入层处拆卸所述第一衬底的一部分。