[发明专利]硅异质结太阳电池的铜合金电极的制备方法在审
| 申请号： | 201810879560.7 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110797418A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 赵晓霞;田宏波;王伟;王雪松;周永谋;王恩宇 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅异质结太阳电池的铜合金电极的制备方法。该方法包括沉积形成介质薄膜层，在介质薄膜层开设电极窗口，以及在电极窗口中依次形成金属种子层、金属铜导电层和锡保护层，并热处理最终形成铜合金电极。该方法避免了昂贵的光刻胶的使用和光刻设备的投入，简化了铜合金电极的掩膜制备工艺，有利于硅异质结电池成本的降低；同时介质薄膜层与TCO薄膜相匹配，进一步降低了电池表面的光反射率，提高了电池光利用。 | ||
| 搜索关键词： | 介质薄膜层 电极 铜合金 电极窗口 硅异质结太阳电池 金属种子层 热处理 电池表面 电池成本 光反射率 光刻设备 硅异质结 锡保护层 制备工艺 导电层 光刻胶 金属铜 掩膜 沉积 制备 匹配 电池 | ||
【主权项】：
1.一种硅异质结太阳电池的铜合金电极的制备方法，其特征在于，包括：/n(1)在第一透明导电氧化物层的上表面沉积形成第一介质薄膜层，在第二透明导电氧化物层的下表面沉积形成第二介质薄膜层；/n(2)通过激光刻蚀或者丝网印刷腐蚀性浆料在所述第一介质薄膜层开孔形成至少一个第一电极窗口，在所述第二介质薄膜层开孔形成至少一个第二电极窗口；/n(3)在所述第一电极窗口中形成第一金属种子层，在所述第二电极窗口中形成第二金属种子层；/n(4)在所述第一金属种子层的上表面依次形成第一金属铜层和第一金属锡层，在所述第二金属种子层的下表面依次形成第二金属铜层和第二金属锡层；/n(5)将步骤(4)所得样品进行热处理，以便制备获得第一铜合金电极和第二铜合金电极；/n其中，所述第一透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的上表面，所述第二透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的下表面。/n
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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