[发明专利]通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法有效
申请号: | 201810879856.9 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN108660380B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 赵明久;胡红磊;戎利建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C22C38/02 | 分类号: | C22C38/02;C22C38/06;C22C38/44;C22C38/50;C22C38/54;C21D8/02;C21D6/00;C21D1/18 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及铁镍基合金领域,具体地说是通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例的方法。采用单步形变热处理方法,提高低能晶界比例,具体为:高温固溶处理→冷轧变形→保温→水冷→时效处理的工艺路线,该方法具有工艺简单、无需反复冷轧变形和易于实现的优点。本发明处理的铁镍基合金,低能晶界比例不低于60~85%,其中∑3晶界的比例不低于50%。本发明处理的铁镍基合金,可形成较强的低能晶界网络、打断大角度随机晶界的连通性,有望显著提高铁镍基合金的抗高温蠕变断裂和耐氢致沿晶开裂能力,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 铁镍基合金 晶界 形变热处理 单步 中低能 冷轧 变形 工艺路线 固溶处理 蠕变断裂 时效处理 抗高温 连通性 氢致 水冷 保温 打断 应用 网络 | ||
【主权项】:
1.一种通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法,其特征在于,采用单步形变热处理工艺,使合金中∑≤29的低重合位置点阵晶界比例为60~85%,其中∑3晶界的比例不低于50%,包括如下步骤:(1)将铁镍基合金板材进行固溶处理,处理方法为在970~990℃保温0.5~2h;(2)将步骤(1)中保温处理的铁镍基合金板材进行水淬处理;(3)将步骤(2)中水淬处理后的铁镍基合金板材,进行冷轧变形,变形量为4~10%;(4)将步骤(3)冷轧变形处理后的铁镍基合金板材在900~1050℃保温20~120min,随后水冷至室温;(5)将步骤(4)水冷处理后的铁镍基合金板材在710~730℃保温14~24h,随后取出空冷至室温;铁镍基合金板材的厚度范围为2~4mm;铁镍基合金的牌号为J75;在合金中引入高比例的低能晶界,形成较多的低能晶界网络,打断随机大角度晶界的连通性。
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