[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的交流发电机有效
| 申请号： | 201810881789.4 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109390328B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 白石正树;石丸哲也;坂野顺一;森睦宏;栗田信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/06;H02K11/33 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及使用该半导体装置的交流发电机。上述半导体装置具备：第1外部电极，具有第1电极面部；第2外部电极，具有第2电极面部；内置齐纳二极管的MOSFET芯片，具有有源区域和周边区域；控制IC芯片，根据MOSFET芯片的漏极电极与源极电极之间的电压或电流，驱动MOSFET芯片的栅极；及电容器，对MOSFET芯片和控制IC芯片供给电源，第1电极面部与MOSFET芯片的漏极电极或者源极电极的一方连接，第2电极面部与MOSFET芯片的漏极电极或者源极电极的另一方连接，在有源区域设置有内置齐纳二极管的MOSFET的多个单位单元，单位单元所包含的齐纳二极管的耐压被设定成比周边区域的耐压低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 使用 交流 发电机 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1外部电极，具有第1电极面部；第2外部电极，具有第2电极面部；内置齐纳二极管的MOSFET芯片，具有流过电路电流的有源区域和保持周边部的耐压的周边区域；控制IC芯片，根据所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片的漏极电极与源极电极之间的电压或电流，驱动所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片的栅极；以及电容器，对所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片和所述控制IC芯片供给电源，所述第1电极面部与所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片的所述漏极电极或者所述源极电极的一方连接，所述第2电极面部与所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片的所述漏极电极或者所述源极电极的另一方连接，在所述内置齐纳二极管的MOSFET芯片的有源区域设置有内置齐纳二极管的MOSFET的多个单位单元，所述单位单元所包含的齐纳二极管的耐压被设定成比所述周边区域的耐压低。
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